NAND闪存是一种非易失性存储技术，不需要电力来保留数据。

NAND闪存开发的一个重要目标是降低每比特成本并增加最大芯片容量，以便闪存可以与磁存储设备（如硬盘）竞争。NAND闪存在大型文件频繁上传和替换的设备中找到了市场。MP3播放器，数码相机和USB闪存驱动器使用NAND技术。

NAND具有有限数量的写周期。NAND故障通常是渐进的，因为单个电池发生故障并且整体性能下降，这一概念称为磨损。为了帮助弥补，一些供应商通过包含比实际声明的内存更多的内存来过度配置他们的系统。

当NAND卡磨损时，用户只需购买一个新卡，设备继续运行。通过将额外存储的费用转嫁给消费者，制造商已经能够显着降低消费电子设备的价格。NAND闪存技术的新发展使芯片更小，增加了最大读写周期并降低了电压需求。

NAND闪存每个块只能支持少量写周期。它提供了快速的读取访问，但它没有静态只读存储器（ROM）或随机存取存储器（RAM）那么快。该技术具有抗冲击性，可承受高温和低温以及浸入水中，因此在移动设备中的性能优于硬盘。

NAND闪存与NOR闪存

闪存的两种主要类型是NAND和NOR闪存，它们的名称来自各自的逻辑门。

NAND闪存以小于器件的块写入和读取，而NOR闪存独立地读取和写入字节。NOR和NAND闪存的使用案例包括笔记本电脑和台式电脑; 数码相机和音频播放器; 智能手机; 视频游戏; 和科学，工业和医疗电子。

NAND闪存提供比NOR闪存更快的擦除和写入时间，而NAND技术以更低的每比特成本提供更好的密度。NAND还提供高达十倍的续航能力或NOR。

NAND不是ROM的合适替代品，因为它不提供字节级随机访问，存储在ROM上的数据通常需要。NOR存储器是RAM和ROM驱动器的良好替代品; NAND与二级存储设备（如硬盘）的关系更为密切。这使其适用于大容量存储用例。

NAND闪存短缺

NAND闪存短缺始于2016年。短缺部分是需求的结果，但也是因为供应商正在从制造2D或平面NAND转向更密集的3D NAND技术。平面NAND只有一层存储单元，而3D NAND则将单元堆叠在一起。三星将3D NAND称为垂直NAND或V-NAND。

制造3D NAND芯片是一个更复杂的过程，在撰写本文时，供应商尚未确定生产足够供应以满足不断增长的需求的经济有效方式。