闪存市场继续看到外形和部署选项的进步。存储阵列供应商正在增加对非易失性存储器快速（NVMe）控制器接口的支持，该接口是一种加速客户端系统和闪存存储之间数据传输的协议。NVMe主机控制器利用PCIe总线的高速性能。

使用PCIe可以使应用程序通过减少主机总线适配器和路由器发生的网络跃点直接与闪存存储进行通信。PCIe支持基于NVMe规范的驱动器的出现，提供专家认为可以取代2.5英寸和3.5英寸外形的替代方案NVMe SSD插入计算机上的空闲服务器插槽，消除了与布线相关的成本和复杂性。

NVMe和PCIe连接SSD的升级是非易失性双列直插式内存模块（NVDIMM），集成了DRAM，NAND闪存和专用备用电源。NVDIMM可以插入存储器总线上的标准DIMM连接器中。NVDIMM卡上的闪存用于备份和恢复DRAM中保存的数据，而板载电源确保存储保持非易失性。

已经出现了接替NAND闪存的候选人。事实上，其中一些记忆已经开发了一段时间。这些替代技术基于与NAND的浮栅晶体管不同的存储器架构。

相变存储器（PCM）通过使用电脉冲改变位单元的状态来存储数据。这些脉冲将非易失性DRAM从非结构化状态改变为结构化状态。PCM的潜在优势包括降低读取数据的延迟和加快写入性能。另外，PCM使得能够写入单个字节，而闪存需要写入整个数据块。

电阻式随机存取存储器，也称为ReRAM或RRAM，是与PCM具有相似性的非易失性存储器。ReRAM不是电脉冲，而是改变下面的电介质的电阻特性，其可以包括各种氧化物金属和其他固体材料。ReRAM器件包括非易失性存储器电阻器或忆阻器，它是一种调节电路电流并保留历史上流过它的电荷量信息的组件。

与NAND相比，ReRAM据称可提供更高的开关速度和更低的功耗。4DS Memory Ltd.，Crossbar Inc.，富士通半导体，以色列初创公司Weebit Nano和Western Digital - 通过SanDisk ReRAM--都致力于将基于ReRAM的存储产品推向市场。Hewlett Packard Enterprise在与SanDisk和SK Hynix合资企业后，于2016年放弃了Memristor产品。

磁阻RAM（MRAM）使用磁状态存储数据。使用一对铁磁金属板：一个板是永磁体，第二个板能够被磁化。将两个板分开是一层薄的绝缘材料。根据两个磁场的方向将二进制位定义为1或0。

相关的方法是自旋扭矩传递，一种将电流发送到位于非磁化材料之间的薄磁层的方法。电流将电子自旋改变为向上或向下状态。