动态随机存取存储器（DRAM）是一种通常用于计算机处理器需要运行的数据或程序代码的存储器。DRAM是用于个人计算机（PC），工作站和服务器的常见类型的随机存取存储器（RAM）。随机访问允许PC处理器直接访问存储器的任何部分，而不必从起始位置顺序进行。RAM靠近计算机的处理器，可以比硬盘驱动器和固态驱动器等存储介质更快地访问数据。

DRAM将每个数据位或程序代码存储在由电容器和晶体管组成的存储单元中，并且通常被组织在存储单元的矩形配置中。DRAM存储单元是动态的，因为它需要每隔几毫秒刷新或给予新的电子电荷以补偿电容器的电荷泄漏。

DRAM是半导体存储器的一种选择，系统设计者在构建计算机时可以使用它。备选存储器选择包括静态RAM（SRAM），电可擦除可编程只读存储器（EEPROM），NOR闪存和NAND闪存。许多系统使用多种类型的内存。

与替代类型的存储器相比，DRAM的主要优点是其设计简单，速度快且成本低。与其他选项相比，DRAM的主要缺点是波动性和高功耗。

有许多类型或接口用于与DRAM通信。它们包括快速页面模式DRAM（FPM DRAM），扩展数据输出DRAM（EDO RAM）和同步DRAM（SDRAM）。SDRAM是用于与同步DRAM类型的总称时钟速度的的微处理器。它们包括单数据速率（SDR）SDRAM，双倍数据速率（DDR）SDRAM，DDR2 SDRAM，DDR3 SDRAM和DDR4 SDRAM。

DRAM与SRAM

DRAM是SRAM的后续产品。存储器设计人员减少了每位元件的数量，并消除了差分位线，以节省芯片面积以创建DRAM。结果，DRAM的生产成本低于SRAM。

但SRAM保留了一些优于DRAM的优势。SRAM不需要刷新，因为它的工作原理是在两个方向之一上切换电流而不是在存储单元内保持电荷。SRAM通常用于高速缓冲存储器，可以比DRAM更快地访问。

SRAM具有字节级读写功能，读取和写入速度比DRAM快。DRAM以字节级写入数据，并以多字节页面级别读取数据。

功率差异取决于系统处于活动模式还是睡眠模式。DRAM在活动状态下比SRAM需要更少的功率，但是SRAM在休眠模式下消耗的功率远低于DRAM。